我們建立的標(biāo)準(zhǔn)曲線，有些元素的不會計算各個標(biāo)準(zhǔn)品的LLD，是為什么呢？

如果標(biāo)樣中某個元素標(biāo)樣中含量太低，不能滿足建線要求，我能用1000ug/ml的標(biāo)液加入來做標(biāo)準(zhǔn)曲線嗎?

可以，要按照干基質(zhì)量換算濃度。

鉛鋅礦的標(biāo)樣說明書上含量（包括燒失量）加起來超過100%了，有的有104左右，是不是也是標(biāo)線建立不好的原因，建立標(biāo)線的時候基本參數(shù)法是不是就不合適？

并非這個原因，曲線精度差的原因主要是礦物效應(yīng)的影響，建線的時候不推薦使用基本參數(shù)法。

我們干擾計算里面從LO（r）和Lo(c)里面選元素有什么區(qū)別么，應(yīng)該選哪種？

LO（r）是采用強度方式計算干擾系數(shù)，和Lo(c)是采用濃度方式計算干擾系數(shù)。如果干擾元素是主元素，可采用濃度方式計算，也可采用強度方式計算。如果干擾元素是微量元素，建議采用濃度方式計算。

鈦精礦標(biāo)樣合量不為100時，該用什么方法進行基體校正？

1. 如果能獲得高質(zhì)量的玻璃熔融片的話，通常不需要做任何基體校正

2. 當(dāng)然也可把全鐵換算成 Fe2O3，燒失量LOI設(shè)成手動輸入項，基體校正采用 FP法或者理論α系數(shù)法。

曲線的范圍能向外延伸多少？

不建議接受曲線外延得到的含量

坩堝用多久一般就不平整了？熔片時，得到的熔片不是一個圓形，缺了一個角，但缺失位置X光斑照射不到，會影響測定結(jié)果嗎？

坩堝使用時間取決于您的樣品和使用頻率。熔片部分缺失，即便光斑照射不到仍會影響測試結(jié)果，出現(xiàn)這種情況是由于脫模劑加入過量或者冷卻速度太快。

同時做兩條曲線，能否共用一個漂移校正程序？否則做漂移時重復(fù)測樣

在 Axios上如果兩條曲線共用一個道組就可以實現(xiàn)，在 Zetium上如果第二條曲線拷貝自第一條曲線也可以實現(xiàn)。

只建立關(guān)心的元素曲線，做重疊校正時是不是還是需要加入樣品中所有雜質(zhì)元素可能會引起的重疊校正？

是的，添加產(chǎn)生干擾的雜質(zhì)元素的通道，以便回歸時做重疊校正。

兩次監(jiān)控樣測量的百分比之間的差別有要求么，要小于多少才合理？

這跟兩次測量的時間間隔有關(guān)系，如果硬件未出現(xiàn)故障，而是儀器自然衰減，監(jiān)控中的新斜率都是無條件更新的。

測同一個樣的連續(xù)幾次結(jié)果波動有點大一般是什么原因啊？

出現(xiàn)這種情況可能有多個原因已引起：

1. 直接壓片跟加入粘結(jié)劑后制備的片子，其穩(wěn)定性是不一樣的，有些樣品加入粘結(jié)劑后穩(wěn)定性確實會變差，這是壓片本身的問題

2. 陽極絲污染探測器的能量分辨率變差

3. 探測器高壓板或者前置放大板故障

4. 檢查樣品卡環(huán)排氣是否良好，是否堵住了鋼杯側(cè)面的兩個孔

原來用硼酸壓片建立的標(biāo)準(zhǔn)曲線，工程師當(dāng)時的稱樣量是4g，我們用硼酸壓樣的時候，4g和5g的結(jié)果都一樣，現(xiàn)在改成了塑料環(huán)壓樣，發(fā)現(xiàn)稱樣量是必須是4g的時候，鉻的結(jié)果才準(zhǔn)確，如果稱樣量大于4g，鉻的結(jié)果也會增大，這是怎么回事，我們該如何改進？

不同鑲邊方式會導(dǎo)致片子的密度產(chǎn)生差異，硼酸鑲邊正常4克樣品即可，而塑料環(huán)則需要5克才能填滿。要解決這個問題，可采用 Calibration update校正。

壓片法日常檢查樣，一周測一次。隨著測量次數(shù)的增加，K，P，Al元素的檢測結(jié)果也會相應(yīng)增加，這是為什么？

直接壓片跟加入粘結(jié)劑后制備的壓片其穩(wěn)定性是不一樣的，有些樣品加入粘結(jié)劑后穩(wěn)定性確實會變差，這是壓片本身的問題，這種情況下壓片最好只用一次。

用監(jiān)控樣監(jiān)測曲線的時候測完之后會出來一些數(shù)據(jù)，怎么判斷這個被檢測的曲線的準(zhǔn)確性呢？

加酒精磨樣，監(jiān)測樣用的時間久了，硅含量會偏低，重新制樣，所測結(jié)果正常，是什么原因？